一、光刻工艺所需设备

一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。光刻过程中涉及到的试剂以及设备如下：

光刻胶： 又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂（见光谱增感染料）和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理，溶去可溶性部 分，得到所需图像。

匀胶机：用于光刻工艺前的光刻胶旋涂。即在高速旋转的基片上，滴注光刻胶，利用离心力使滴在基片上的胶液均匀地涂覆在基片上，厚度视不同胶液和基片间的粘滞系数而不同，也和旋转速度及时间有关。

烘胶机：用于光刻工艺中的前烘和坚膜。在烘胶台商烘干硅片，去除硅片上的水蒸气，使光刻胶可以更加牢固的粘结在硅片表面。使用SU-8光刻胶制作掩膜版时还需进行后烘，将甩干后的硅片在烘胶台上烘干再次烘干，使显影后的光刻胶硬化，提高强度。

光刻机：将图形转移光刻胶上的过程，也就是将微结构临时“复制"到硅片上的过程。

显影液：将曝光后的图形显示出来

去胶液：去除表面多余的光刻胶

真空干燥箱：PDMS倒入制作好的模具后放入真空干燥箱快速干燥。

二、玻璃刻蚀需要用到摇床

三、微流控芯片键合所需设备

马弗炉：玻璃+玻璃键合

等离子清洗机：PDMS+玻璃、PDMS+PDMS、硅片+PDMS键合

真空热压键合机：PMMA+PMMA、PC+PC键合

双面胶：玻璃+PMMA、PMMA+PMMA键合

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